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氧化铪(HfO2)基铁电材料由于能够集成到硅电子器件中，生活错成为下一代纳米器件的最有前途的候选材料之一。铁电HfO2在纳米厚度下仍然可以表现出强大的电偶极子，被心并且与现代互补金属氧化物半导体（CMOS）技术兼容，使得铁电存储器（FeRAM）的实现成为可能。因此，理学一种与CMOS兼容且稳定的r-HZO基材料不仅可以从根本上解决铪基铁电优化的困境，而且还可以保留HZO材料的优点。

然而，证明铁电Hf(Zr)O2（HZO）的高矫顽场(Ec)导致高工作电压，是限制FeRAM在最先进技术中应用的关键问题。三、有已经【核心创新点】作者发现了一种新型铁电材料—菱面体铁电Hf(Zr)1+xO2，该材料具有超低的矫顽场和超高的耐久性。

然而，些流这种t-HZO的单侧极化反转剩余极化强度（Pr）仅为o-HZO的一半。

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